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STW55NM60N
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STW55NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:STW55NM60N 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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焊盘图
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STW55NM60N 数据手册 (12 页)
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STW55NM60N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性N-Channel
功耗350W (Tc)
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)25.5 A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)5800pF @50V(Vds)
额定功率(Max)350 W
下降时间70 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)350W (Tc)
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STW55NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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STW55NM60N 数据手册

STW55NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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