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STW55NM60ND
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STW55NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:STMICROELECTRONICS  STW55NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STW55NM60ND 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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STW55NM60ND 数据手册 (12 页)
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STW55NM60ND 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.047 Ω
极性N-Channel
功耗350 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间68 ns
输入电容值(Ciss)5800pF @50V(Vds)
额定功率(Max)350 W
下降时间96 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)350W (Tc)
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STW55NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STW55NM60ND 数据手册

STW55NM60ND 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.28 MByte
STW55NM60ND 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.22 MByte
STW55NM60ND 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte

STW55NM60 数据手册

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STMICROELECTRONICS  STW55NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V
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