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STW60NM50N
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STW60NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:STW60NM50N 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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STW60NM50N 数据手册 (12 页)
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STW60NM50N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.035 Ω
极性N-CH
功耗446 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)68A
上升时间36 ns
输入电容值(Ciss)5790pF @100V(Vds)
下降时间27.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)446W (Tc)
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STW60NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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STW60NM50N 数据手册

STW60NM50N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.26 MByte
STW60NM50N 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.71 MByte
STW60NM50N 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.73 MByte
STW60NM50N 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
30 页 / 0.31 MByte

STW60NM50 数据手册

STW60NM50N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V
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