| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.037 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 320 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 300 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 87 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5930pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 320 W |
| 下降时间 | 101 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 320W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STW75NF30 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 V
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STMICROELECTRONICS STW75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 600 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
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N沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ？功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFET
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