| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 320 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 1500 V |
| 上升时间 | 14.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3255pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 320 W |
| 下降时间 | 52 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 320W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.24 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.62 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW9N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
Seoul Semiconductor（首尔半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
Seoul Semiconductor（首尔半导体）
大功率LED - 白色 MID PWR WARM WHITE CRI-90 2700
Seoul Semiconductor（首尔半导体）
大功率LED - 白色 MID PWR WARM WHITE CRI-80 3500
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 0.85ohm - 9.3A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
