类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-247-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 1 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 190 W |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
漏源击穿电压 | 800 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 22 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 65 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.75 mm |
宽度 | 5.15 mm |
高度 | 20.15 mm |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STW9N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V
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N沟道200 V, 0.019 Ω , 83 A, TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET
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MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
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N沟道800V - 0.85ohm - 9.3A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
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