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STW9NK70Z
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STW9NK70Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
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STW9NK70Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)700 V
额定电流7.50 A
封装TO-247-3
漏源极电阻1.2 Ω
极性N-Channel
功耗156 W
阈值电压3.75 V
漏源极电压(Vds)700 V
连续漏极电流(Ids)7.50 A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)1370pF @25V(Vds)
额定功率(Max)156 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)156W (Tc)
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STW9NK70Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度15.9 mm
宽度20.3 mm
高度5.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STW9NK70Z 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
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