| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-226-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 900 mW |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @500mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 900 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bag |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
中等电流，高性能，低电压PNP晶体管 Medium current,high performance,low voltage PNP transistor
ST Microelectronics（意法半导体）
中等电流，高性能，低电压PNP晶体管 Medium current, high performance, low voltage PNP transistor
ST Microelectronics（意法半导体）
中等电流，高性能，低电压PNP晶体管 Medium current,high performance,low voltage PNP transistor
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