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STY80NM60N
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STY80NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:STY80NM60N 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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焊盘图
引脚图
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STY80NM60N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.03 Ω
极性N-Channel
功耗447 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)37.0 A
上升时间65 ns
输入电容值(Ciss)10100pF @50V(Vds)
额定功率(Max)447 W
下降时间200 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)447W (Tc)
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STY80NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.9 mm
宽度5.3 mm
高度20.3 mm
工作温度150℃ (TJ)
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ST Microelectronics（意法半导体）
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