类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.012 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 3 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | -50.0 A |
上升时间 | 70 ns |
输入电容值(Ciss) | 4950pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3 W |
下降时间 | 175 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2000 |
SUD50P06-15L-E3是一款60V P沟道TrenchFET®功率MOSFET, 工作温度为175°C.
● ±20V栅-源电压
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P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
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VISHAY SUD50P06-15-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
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VISHAY SUD50P06-15L-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
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