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SUM110P06-07L-E3
来自 AiPCBA

SUM110P06-07L-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:VISHAY  SUM110P06-07L-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 11A, TO-263, 整卷
PDF文件:SUM110P06-07L-E3 数据手册 (8 页)封装尺寸在6 页
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SUM110P06-07L-E3 数据手册 (8 页)
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SUM110P06-07L-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0055 Ω
极性P-Channel
功耗3.75 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)-11.0 A
上升时间160 ns
输入电容值(Ciss)11400pF @25V(Vds)
下降时间240 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.75 W
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SUM110P06-07L-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.41 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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SUM110P06-07L-E3 数据手册

SUM110P06-07L-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.16 MByte
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17 页 / 1.1 MByte
SUM110P06-07L-E3 产品修订记录
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1 页 / 0.03 MByte

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