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SUP85N03-04P-E3
来自 AiPCBA

SUP85N03-04P-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:SUP85N03-04P-E3 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
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SUP85N03-04P-E3 数据手册 (8 页)
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SUP85N03-04P-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
漏源极电阻0.008 Ω
极性N-Channel
功耗166 W
输入电容4500pF @25V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)85.0 A
热阻0.9℃/W (RθJC)
下降时间35 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SUP85N03-04P-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.51 mm
高度15.49 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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SUP85N03-04P-E3 数据手册

SUP85N03-04P-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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