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SUP85N03-3M6P-GE3
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SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:TO-220-3
描述:N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PDF文件:SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 (6 页)
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SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 (6 页)
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SUP85N03-3M6P-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.003 Ω
极性N-CH
功耗3.1 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)85A
上升时间10 ns
下降时间10 ns
工作温度(Max)175 ℃
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SUP85N03-3M6P-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度15.49 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
最小包装数量50
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SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册

SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
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