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SUP85N10-10-GE3
来自 AiPCBA

SUP85N10-10-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:SUP85N10-10-GE3 数据手册 (8 页)
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SUP85N10-10-GE3 数据手册 (8 页)
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SUP85N10-10-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻0.0085 Ω
功耗250 W
阈值电压1 V
漏源击穿电压100 V
上升时间90 ns
输入电容值(Ciss)6550pF @25V(Vds)
下降时间130 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)250000 mW
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SUP85N10-10-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
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SUP85N10-10-GE3 数据手册

SUP85N10-10-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.36 MByte
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