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SUP85N15-21-E3
来自 AiPCBA

SUP85N15-21-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:场效应管, MOSFET, N沟道, 150V 85A TO-220AB
PDF文件:SUP85N15-21-E3 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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SUP85N15-21-E3 数据手册 (6 页)
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SUP85N15-21-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
漏源极电阻21 mΩ
极性N-CH
功耗2.4 W
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)85A
上升时间170 ns
输入电容值(Ciss)4750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2.4 W
下降时间170 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2400 mW
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SUP85N15-21-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量50
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SUP85N15-21-E3 数据手册

SUP85N15-21-E3 数据手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.07 MByte
SUP85N15-21-E3 产品修订记录
VISHAY（威世）
2 页 / 0.22 MByte

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