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T55A107M6R3C0150 数据手册 (25 页)
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T55A107M6R3C0150 技术参数、封装参数

T55A107M6R3C0150 外形尺寸、物理参数、其它

T55A107M6R3C0150 数据手册

VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
10 页 / 0.57 MByte
VISHAY(威世)
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T55A107M6R3 数据手册

VISHAY(威世)
T55 系列T55 固体钽表面安装片状电容器 模制盒、高性能聚合体型超低 ESR 模制外壳,提供 5 个箱代码 接线端子:箱 J、P 和 A:100% 锡 箱 B 和 T:Ni/Pd/Au 与高容量自动拾放设备兼容 湿度敏感性等级 3 去耦、平滑、滤波中的应用;无线卡中的节能存储;基础设施设备;存储和网络;计算机主板;智能手机和平板电脑
VISHAY(威世)
钽电容, 100UF, 6.3V, 封装A
VISHAY(威世)
钽聚合物电容器, 100 µF, 6.3 V, vPolyTan T55 Series, ± 20%, A, 0.045 ohm
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55A107M6R3C0070  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 100 µF, 1206 [3216-18 公制], 0.07 ohm, 6.3 V
VISHAY(威世)
钽聚合物电容器, 100 µF, 6.3 V, vPolyTan T55系列, ± 20%, A, 0.2 ohm
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55A107M6R3C0150  钽电容, 100UF, 6.3V, 封装A
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55A107M6R3C0200  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 100 µF, 1206 [3216 公制], 0.2 ohm, 6.3 V
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