| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 4.50V (min) |
| 工作电压 | 4.5V ~ 18V |
| 封装 | SOIC-8 |
| 上升/下降时间 | 30 ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 18.0 V |
| 输出电流 | 1.5 A |
| 供电电流 | 8.00 mA |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 470 mW |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 下降时间(Max) | 30 ns |
| 上升时间(Max) | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 70 ℃ |
| 工作温度(Min) | 0 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 470 mW |
| 电源电压 | 4.5V ~ 18V |
| 电源电压(Max) | 18 V |
| 电源电压(Min) | 4.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 3.91 mm |
| 高度 | 1.42 mm |
| 工作温度 | 0℃ ~ 70℃ |
TC426/427/428 MOSFET 驱动器
●Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。
●### 特点
●高速切换 (CL = 1000 pF)：30 ns
●高峰值输出电流：1.5A
●高输出电压摆幅：VDD -25 mV，GND +25 mV
●低输入电流（逻辑0或1）：1 μA
●与 TTL/CMOS 输入兼容
●配置：TC426 - 反相，TC427 - 同相，TC428 - 反相/同相
●工作电源电压：4.5V 至 18V
●电流消耗：输入低 0.4 mA，输入高 8 mA
●单电源操作
●低输出阻抗：6 Ω
●防闩锁：耐受 >500 mA 反向电流
●ESD 保护：2 kV
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1.5A双高速功率MOSFET驱动器 1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers
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TC426/427/428 MOSFET 驱动器Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。### 特点高速切换 (CL = 1000 pF)：30 ns 高峰值输出电流：1.5A 高输出电压摆幅：VDD -25 mV，GND +25 mV 低输入电流（逻辑0或1）：1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置：TC426 - 反相，TC427 - 同相，TC428 - 反相/同相 工作电源电压：4.5V 至 18V 电流消耗：输入低 0.4 mA，输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗：6 Ω 防闩锁：耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护：2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip
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MICROCHIP TC426CPA 双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 75ns延迟, DIP-8
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TC426系列 1.5A 18V最高电压 双通道 低边 反相 MOSFET驱动器-SOIC-8
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MICROCHIP TC426COA 双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 75ns延迟, SOIC-8
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TC426/427/428 MOSFET 驱动器Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。### 特点高速切换 (CL = 1000 pF)：30 ns 高峰值输出电流：1.5A 高输出电压摆幅：VDD -25 mV，GND +25 mV 低输入电流（逻辑0或1）：1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置：TC426 - 反相，TC427 - 同相，TC428 - 反相/同相 工作电源电压：4.5V 至 18V 电流消耗：输入低 0.4 mA，输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗：6 Ω 防闩锁：耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护：2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip
Microchip（微芯）
TC426系列 1.5A 18V最高电压 双通道 低边 反相 MOSFET驱动器-CERDIP-8
Microchip（微芯）
TC426 系列 1.5 A 18 Vmax 双 低边 反相 MOSFET 驱动器 - PDIP-8
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