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TC7SH08FE
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TC7SH08FE 技术参数、封装参数

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TC7SH08FE 数据手册

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TC7SH08 数据手册

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MOS场效应管 TC7SH08FU,LJ(CT SOT-353
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IC 与门 TC7SH08FU SOT-353/USV marking/标记 H2
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IC 与门 TC7SH08F SOT-153/SMV marking/标记 H2
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逻辑门 L-MOS AND
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2输入与门;•超高速运转:TPD =4.3 2输入与门;   @ VCC = 5 V•低功耗:ICC= 2μA(最大)@助教= 25°C•高抗干扰性:VNIH= VNIHVCC=28%(最小)•5.5V宽容输入。•宽工作电压范围:VCC(OPR)=2〜5.5..
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