| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 8.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 80000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 集电极最大允许电流 | 8A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @3A, 4V |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 9.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 60 V 8 A - 80 W 通孔 TO-220AB
Micro Commercial Components（美微科）
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Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
ST Microelectronics（意法半导体）
National Semiconductor（美国国家半导体）
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