类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 8.00 A |
封装 | TO-220-3 |
输出电压 | 60 V |
输出电流 | 8 A |
针脚数 | 3 Position |
输入电流 | 1 A |
极性 | NPN |
功耗 | 80 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
集电极最大允许电流 | 8A |
最小电流放大倍数 | 1000 @3A, 4V |
额定功率(Max) | 2 W |
直流电流增益(hFE) | 20 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
输入电压 | 2.8 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 60 V 8 A - 2 W 通孔 TO-220AB
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Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Micro Commercial Components(美微科)
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