类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -80.0 V |
额定电流 | -2.00 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | PNP |
功耗 | 2000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
最小电流放大倍数 | 1000 @1A, 4V |
额定功率(Max) | 2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Rail |
高度 | 9.2 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
Multicomp
MULTICOMP TIP116 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -4 A, 1000 hFE
Central Semiconductor
达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
Boca Semiconductor(博卡半导体)
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
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