类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 2 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
最小电流放大倍数 | 1000 @3A, 3V |
额定功率(Max) | 2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 16.51 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS TIP121 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Multicomp
MULTICOMP TIP121 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
National Semiconductor(美国国家半导体)
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