| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 输出电压 | 60 V |
| 输出电流 | 10 A |
| 针脚数 | 3 Position |
| 输入电流 | 0.5 A |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 125 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 热阻 | 35.7℃/W (RθJA) |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 直流电流增益(hFE) | 500 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125 W |
| 输入电压 | 5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 21.08 mm |
| 宽度 | 16.26 mm |
| 高度 | 5.3 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管，On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor（安森美）
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Multicomp
MULTICOMP TIP140 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
ST Microelectronics（意法半导体）
互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller（伯恩斯）
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
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