| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 125 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
| 最大电流放大倍数 | 500 @10A, 4V |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 直流电流增益(hFE) | 500 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.2 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 12.2 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 80 V 10 A - 125 W 通孔 TO-247-3
ON Semiconductor（安森美）
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Multicomp
MULTICOMP TIP141 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
ST Microelectronics（意法半导体）
互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
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