类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-3-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 60000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 10A |
最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
额定功率(Max) | 125 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Rail |
高度 | 16.5 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
Multicomp
MULTICOMP TIP142 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件