| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 输出电压 | 100 V |
| 输出电流 | 10 A |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 125 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 热阻 | 35.7℃/W (RθJA) |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 直流电流增益(hFE) | 500 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125000 mW |
| 输入电压 | 5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.26 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 5.3 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管，On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
Multicomp
MULTICOMP TIP142 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
Bourns J.W. Miller（伯恩斯）
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
