| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 80 W |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 80 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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ST Microelectronics（意法半导体）
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
Multicomp
MULTICOMP TIP142 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
Bourns J.W. Miller（伯恩斯）
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
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