类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 80000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
额定功率(Max) | 80 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 80000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 10 A - 80 W 通孔 TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
Multicomp
MULTICOMP TIP142 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
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达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
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