类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -2.00 A |
封装 | TO-3 |
额定功率 | 125 W |
极性 | PNP |
功耗 | 125 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 10A |
最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
额定功率(Max) | 125 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
高度 | 16.7 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS TIP147 达林顿双极晶体管
Multicomp
MULTICOMP TIP147 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅达林顿晶体管 PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
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