类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -10.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 90 W |
集电极击穿电压 | 100 V |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
额定功率(Max) | 90 W |
直流电流增益(hFE) | 1000 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 90000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
PNP 复合晶体管,STMicroelectronics
●### 双极晶体管,STMicroelectronics
●STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS TIP147 达林顿双极晶体管
Multicomp
MULTICOMP TIP147 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅达林顿晶体管 PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件