| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 80 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @5A, 4V |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 直流电流增益(hFE) | 500 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor（安森美）
25 页 / 1.22 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.56 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS TIP147 达林顿双极晶体管
Multicomp
MULTICOMP TIP147 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP外延硅达林顿晶体管 PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
