类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 3 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -25.0 A |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP, P-Channel |
功耗 | 125 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
热阻 | 1℃/W (RθJC) |
集电极最大允许电流 | 25A |
最小电流放大倍数 | 15 @15A, 4V |
额定功率(Max) | 125 W |
直流电流增益(hFE) | 15 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
工作结温 | -65℃ ~ 150℃ |
耗散功率(Max) | 125000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
宽度 | 4.9 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
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Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
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