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TK100E06N1,S1X(S
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TK100E06N1,S1X(S 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:场效应管(MOSFET) TK100E06N1,S1X(S TO-220
PDF文件:TK100E06N1,S1X(S 数据手册 (7 页)
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TK100E06N1,S1X(S 数据手册 (7 页)
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TK100E06N1,S1X(S 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
极性N-CH
功耗255 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)263A
上升时间67 ns
输入电容值(Ciss)10500pF @30V(Vds)
下降时间64 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)256000 mW
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TK100E06N1,S1X(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃
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TK100E06N1,S1X(S 数据手册

TK100E06N1,S1X(S 数据手册
Toshiba（东芝）
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