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TK10A60D(STA4,Q,M)
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TK10A60D(STA4,Q,M) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道 600V 10A
PDF文件:TK10A60D(STA4,Q,M) 数据手册 (7 页)
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TK10A60D(STA4,Q,M) 数据手册 (7 页)
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TK10A60D(STA4,Q,M) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗45W (Tc)
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)10A
输入电容值(Ciss)1350pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)45W (Tc)
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TK10A60D(STA4,Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度4.5 mm
工作温度150℃ (TJ)
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TK10A60D(STA4,Q,M) 数据手册

TK10A60D(STA4,Q,M) 数据手册
Toshiba（东芝）
7 页 / 0.23 MByte
TK10A60D(STA4,Q,M) 产品设计参考手册
Toshiba（东芝）
63 页 / 1.58 MByte
TK10A60D(STA4,Q,M) 其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
6 页 / 0.18 MByte

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