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TK30E06N1,S1X(S
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TK30E06N1,S1X(S 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba
PDF文件:TK30E06N1,S1X(S 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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TK30E06N1,S1X(S 数据手册 (9 页)
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TK30E06N1,S1X(S 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗53 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)43A
上升时间7.3 ns
输入电容值(Ciss)1050pF @30V(Vds)
下降时间7.3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)53 W
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TK30E06N1,S1X(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.16 mm
宽度4.45 mm
高度15.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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TK30E06N1,S1X(S 数据手册

TK30E06N1,S1X(S 数据手册
Toshiba（东芝）
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TK30E06N1S1 数据手册

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N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba
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