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TK31E60W,S1VX(S
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TK31E60W,S1VX(S 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba
PDF文件:TK31E60W,S1VX(S 数据手册 (10 页)封装尺寸在9 页
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TK31E60W,S1VX(S 数据手册 (10 页)
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TK31E60W,S1VX(S 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
功耗230 W
上升时间32 ns
输入电容值(Ciss)3000pF @300V(Vds)
下降时间8.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)230 W
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TK31E60W,S1VX(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.16 mm
宽度4.45 mm
高度15.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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TK31E60W,S1VX(S 数据手册

TK31E60W,S1VX(S 数据手册
Toshiba（东芝）
10 页 / 0.25 MByte
TK31E60W,S1VX(S 其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
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TK31E60WS1 数据手册

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MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba
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