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来自 AiPCBA
TK8A50D(STA4,Q,M) 数据手册 - Toshiba(东芝)
制造商:
Toshiba(东芝)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
PDF文件:
TK8A50D(STA4,Q,M) 数据手册 (44 页)
封装尺寸
在
34 页
36 页
37 页
41 页
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
TK8A50D(STA4,Q,M) 数据手册
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TK8A50D(STA4,Q,M) 数据手册 (44 页)
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TK8A50D(STA4,Q,M) 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
850 mΩ
功耗
40W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
40 W
下降时间
12 ns
耗散功率(Max)
40W (Tc)
查看数据手册 >
TK8A50D(STA4,Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.5 mm
高度
15 mm
工作温度
150℃ (TJ)
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TK8A50D(STA4,Q,M) 符合标准
TK8A50D(STA4,Q,M) 数据手册
TK8A50D(STA4,Q,M)
数据手册
Toshiba(东芝)
44 页 / 1.53 MByte
TK8A50D(STA4,Q,M)
其他数据使用手册
Toshiba(东芝)
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