| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 功耗 | 250 W |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2000pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 15.5 mm |
| 宽度 | 4.5 mm |
| 高度 | 20 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 9A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
场效应管(MOSFET) TK9J90E,S1E TO-252-2(DPAK)
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