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TLE4966H
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TLE4966H 数据手册 (16 页)
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TLE4966H 技术参数、封装参数

TLE4966H 外形尺寸、物理参数、其它

TLE4966H 数据手册

Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.84 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
20 页 / 0.97 MByte
Infineon(英飞凌)
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TLE4966 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  TLE4966L  霍尔效应传感器, Direction Detection Sensor, 10 mA, SSO, 4 引脚, 2.7 V, 18 V
Infineon(英飞凌)
Infineon TLE4966KHTSA1 霍尔效应传感器开关, 双极磁场, 10.3 mT, 2.7 → 26 V电源, 6引脚
Infineon(英飞凌)
Infineon标准型和闩锁型操作中使用大量 Infineon 霍尔效应开关 IC。### 霍尔效应传感器,Infineon一系列 Infineon 集成电路利用霍尔效应实施非接触切换和感应功能。 霍尔效应集成电路分为三个基本类别:线性传感器、开关和闩锁。 线性传感器具有与磁场强度成比例的线性模拟输出,而霍尔效应开关和闩锁具有一个开关输出,可通过磁场接近激活。 闩锁开关需要相反极性的磁场来分别激活和停用开关输出。 霍尔效应开关还具有 2 线电流水平操作。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  TLE4966LHALA1  霍尔效应传感器, Direction Detection Sensor, 10 mA, SSO, 4 引脚, 2.7 V, 18 V
Infineon(英飞凌)
Infineon TLE49663KHTSA1 霍尔效应传感器, 单极磁场, 4.2 mT, 2.7 → 24 V电源, 6引脚 TSOP封装
Infineon(英飞凌)
高精度霍尔效应开关 High Precision Hall-Effect Switch
Infineon(英飞凌)
霍尔效应开关, 高精密, 锁定式, 0.0025 T, -0.0025 T, 3.5 V, 32 V, TSOP
Infineon(英飞凌)
霍尔效应锁存
Infineon(英飞凌)
霍尔效应开关,Infineon标准型和闩锁型操作中使用大量 Infineon 霍尔效应开关 IC。### 霍尔效应传感器,Infineon一系列 Infineon 集成电路利用霍尔效应实施非接触切换和感应功能。 霍尔效应集成电路分为三个基本类别:线性传感器、开关和闩锁。 线性传感器具有与磁场强度成比例的线性模拟输出,而霍尔效应开关和闩锁具有一个开关输出,可通过磁场接近激活。 闩锁开关需要相反极性的磁场来分别激活和停用开关输出。 霍尔效应开关还具有 2 线电流水平操作。
Infineon(英飞凌)
高精度霍尔开关具有两个输出 High Precision Hall Switch with two Outputs
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