| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | MFSOP-6 |
| 正向电压 | 1.15 V |
| 功耗 | 200 mW |
| 上升时间 | 2 µs |
| 隔离电压 | 3750 Vrms |
| 正向电流 | 50 mA |
| 击穿电压 | 5 V |
| 正向电压(Max) | 1.3 V |
| 正向电流(Max) | 50 mA |
| 下降时间 | 3 µs |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -25 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
通道数Number of Channels| 1 \---|--- 输入类型Input Type| DC 电压 - 隔离Voltage - Isolation| 3750Vrms 电流传输比（最小值）Current Transfer Ratio (Min)| 50% @ 5mA 电流传输比（最大值）Current Transfer Ratio (Max)| 600% @ 5mA 电压 - 输出Voltage - Output| 80V 电流 - 输出/通道Current - Output / Channel| 20mA 电流 - DC 正向 (If)Current - DC Forward (If)| 10mA Vce 饱和值（最大值）Vce Saturation (Max)| 0.4V 输出类型Output Type| 晶体管 Transistor Description & Applications| Features • TOSHIBA PHOTOCOUPLER GaAs IRED AND PHOTO TRANSISTOR • Vce=80V(min) • CTR=50%(min) rank GB=100%(min) • isolation voltage:3750 Vr.m.s.(min) 描述与应用| 特点 •东芝光耦合器砷化镓IRED和光晶体管 •VCE= 80V（最小值） •CTR=50％（分钟） 等级GB=100％（最小） •隔离电压：3750 Vr.m.s.（最小）
Toshiba（东芝）
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