类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOIC-4 |
上升/下降时间 | 2µs, 3µs |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 4 Position |
正向电压 | 1.25 V |
功耗 | 0.2 W |
上升时间 | 2 µs |
隔离电压 | 3.75 kV |
正向电流 | 50 mA |
输出电压(Max) | 80 V |
击穿电压 | 5 V |
正向电压(Max) | 1.4 V |
正向电流(Max) | 50 mA |
下降时间 | 3 µs |
工作温度(Max) | 110 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Each |
工作温度 | -55℃ ~ 110℃ |
TLP291包含光电晶体管, 光耦合到砷化镓红外发光二极管.
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Photocoupler 80V 50mA 3750Vrms
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晶体管输出光电耦合器 50mA 80V Gen Purp 50mA 1 Circuit
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光电耦合器, Transistor Output, 1通道, SOIC, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 50 %
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晶体管输出光耦 TLP291-4(TP,E) SOP-16-4.6mm
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晶体管输出光耦 TLP291(GR-TP,SE SOP-4-1.27mm
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