Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > TN2404KL-TR1 Datasheet 文档
TN2404KL-TR1
来自 AiPCBA

TN2404KL-TR1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-226
描述:N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
PDF文件:TN2404KL-TR1 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
TN2404KL-TR1 数据手册 (2 页)
查看文档
或点击图片查看大图

TN2404KL-TR1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-226
漏源极电阻4.00 mΩ
极性N-Channel
功耗900 mW
漏源极电压(Vds)240 V
漏源击穿电压240 V
连续漏极电流(Ids)300 mA
查看数据手册 >

TN2404KL-TR1 数据手册

TN2404KL-TR1 数据手册
VISHAY（威世）
2 页 / 0.3 MByte
TN2404KL-TR1 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.08 MByte

TN2404 数据手册

TN2404K-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道240 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 240 V (D-S) MOSFET
TN2404K-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道240 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 240 V (D-S) MOSFET
TN2404K-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
TN2404K-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  TN2404K-T1-E3  场效应管, N通道, MOSFET, 整卷
TN2404K-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  TN2404K-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道
TN2404K-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
TN2404KL-TR1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
TN2404K-T1 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404K 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道240 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 240 -V (D-S) MOSFET
TN2404KL-TR1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet