| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 650 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.45 mm |
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
VISHAY（威世）
高边开关低导通电阻：0.45低门槛：0.9 V（典型值）开关速度快：32纳秒2.5 V或更低的操作
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY TP0101K-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV
VISHAY（威世）
高边开关低导通电阻：0.45低门槛：0.9 V（典型值）开关速度快：32纳秒2.5 V或更低的操作
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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