| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 6 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 0.35 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -185 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 23pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 最小包装数量 | 3000 |
TP0610K-T1-E3 是一款60VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于继电器, 螺线管, 灯, 锤子, 显示器, 晶体管和存储器驱动器等。
● 低导通电阻
● 高压侧开关
● 低阈值
● 20ns 快速开关速度
● 20pF 输入电容
● 2000V 静电保护
VISHAY（威世）
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P沟道60 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷
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VISHAY TP0610K-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V
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