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TP0610K-T1-E3
来自 AiPCBA

TP0610K-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:VISHAY  TP0610K-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷
PDF文件:TP0610K-T1-E3 数据手册 (9 页)封装尺寸在5 页6 页
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TP0610K-T1-E3 数据手册 (9 页)
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TP0610K-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻6 Ω
极性P-Channel
功耗350 mW
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)-185 mA
输入电容值(Ciss)23pF @25V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)350 mW
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TP0610K-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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TP0610K-T1-E3 数据手册

TP0610K-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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