| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 10 Ω |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 0.36 W |
| 阈值电压 | 2.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.12A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 60pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 360 mW |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 360mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Microchip（微芯）
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Microchip（微芯）
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VISHAY（威世）
P沟道60 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
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晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -2.4 V
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VISHAY TP0610K-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷
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VISHAY（威世）
P沟道60 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
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