类型 | 描述 |
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封装 | PS-8 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 3A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 3A 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~1000 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.54W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type .
●Portable Equipment Applications
●Switching Applications
●Inverter Lighting Applications
●Small footprint due to small and thin package
●High DC current gain : hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)
● Low collector-emitter saturation : VCE (sat) = 0.14 V (max)
● High-speed switching : tf = 120 ns (typ.) 描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延型。
●便携式设备的应用
●开关应用
●逆变器照明应用
●由于占地面积小,小而薄的包装
●高直流电流增益:HFE=400~1000(IC=0.3 A)
●低集电极 - 发射极饱和:VCE(sat)= 0.14 V(最大值)
●高速开关:TF =120 ns(典型值)
Toshiba(东芝)
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