类型 | 描述 |
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封装 | PS-8 |
极性 | NPN+PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 1A/0.8A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 100V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 1A/-800mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 200~500/400~1000 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| 170mV/-200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 830mW Description & Applications| Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type (PCT Process) • Small footprint due to small and thin package • High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC = −0.1 A) :NPN hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) • Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) = −0.20 V (max) : NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) • High-speed switching : PNP tf = 70 ns (typ.) : NPN tf = 85 ns (typ.) • Portable Equipment Applications • Switching Applications 描述与应用| 特点 •东芝晶体管的硅NPN/ PNP外延型(PCT工艺) •由于占地面积小,小而薄的包装 •高直流电流增益:PNP HFE=200〜500(IC= -0.1):NPN HFE=400至1000(IC=0.1 A) •低集电极 - 发射极饱和:PNP VCE(sat)=-0.20 V(最大值):NPN VCE(sat)= 0.17 V(最大值) •高速开关:PNP TF=70 ns(典型值):NPN TF=85 ns(典型值) •便携式设备的应用 •开关应用
Toshiba(东芝)
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