类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | -15.0 V |
额定电流 | -1.60 A |
封装 | SOIC-8 |
输出电压 | -15.0 V |
漏源极电阻 | 0.18 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 791 mW |
漏源极电压(Vds) | 15 V |
连续漏极电流(Ids) | -1.60 A |
上升时间 | 10 ns |
额定功率(Max) | 791 mW |
下降时间 | 2 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 791mW (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
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