TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道,1:2 多路复用器/多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电,提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容,从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。
●通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组,可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置,使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外,本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关,只需外部连接 SEL1 与 SEL2,便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。
●这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟/数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。
● 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
● 1.675GHz 的宽带宽
● 低传播延迟(典型值 tpd = 40ps)
● 低位到位偏斜(典型值 tsk(o) = 6ps)
● 低而平坦的导通电阻
●(典型值 rON = 8Ω)
● 低输入/输出电容
●(典型值 CON = 5.6pF)
● 低串扰(XTALK = -43dB,
●这是在 250MHz 时的典型值)
● 3V 至 3.6V 的 VCC工作范围
● 数据 I/O 端口上的轨至轨开关
●(0 至 VCC)
● 用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑
● 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
● I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
● 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准
● 2000V 人体模型
●(A114B,II 类)
● 1000V 充电器件模型 (C101)
● 42 引脚 RUA 封装(9mm × 3.5mm,0.5mm 焊球间距)
●## 应用范围
● DDR3 信号开关
● DIMM 模块
● 笔记本/台式机
● 服务器
TI(德州仪器)
16 页 / 0.37 MByte
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20 页 / 0.83 MByte
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